O Instituto Avançado de Tecnologia (SAIT) da Samsung abrirá uma contraparte de P+D no Vale do Silício dedicada ao design de chips de IA.
De acordo com um relatório da Business Korea, a nova instalação de pesquisa, batizada de Advanced Processor Lab (APL), será a principal responsável pelo desenvolvimento de semicondutores de próxima geração, com foco específico em chips RISC-V.
O RISC-V é uma arquitetura de conjunto de instruções de padrão aberto (ISA) baseada em princípios RISC estabelecidos, que é fornecida sob licenças de código aberto que não exigem taxas.
Citando fontes do setor, a Business Korea informou que o objetivo final do instituto APL é projetar chips de inteligência artificial para a Samsung com base na arquitetura RISC-V e, de acordo com as informações, a empresa já teria criado um grupo de trabalho interno para iniciar o processo de pesquisa.
A notícia chega um mês depois que a Samsung Electronics anunciou que estabeleceu o Samsung Semiconductor AGI Computing Lab para desenvolver um novo tipo de chip para a próxima iteração de inteligência artificial.
O laboratório, que estará localizado nos EUA e na Coreia do Sul, se concentrará no projeto de semicondutores para atender às demandas de processamento intensivo de computação da inteligência artificial geral (AGI).
Em um post no LinkedIn, o CEO da Samsung Semiconductor, Kye Hyun Kyung, disse que o laboratório de computação inicialmente concentrará seus esforços de P+D no desenvolvimento de chips para LLM, e que o desenvolvimento de chips para AGI será feito em uma data posterior.
No início do mês, o governo dos EUA anunciou que forneceria à Samsung Electronics 6,4 bilhões de dólares (33 bilhões de reais) em financiamento direto sob a Lei de Chips e Ciência dos EUA para apoiar o desenvolvimento do cluster de semicondutores de 40 bilhões (208 bilhões de reais) da empresa em vários locais do Texas.
Duas fundições de semicondutores serão construídas na cidade de Taylor que produzirão chips de 4 nm e 2 nm, uma instalação de embalagem avançada para alta largura de banda de memória e uma instalação de pesquisa e desenvolvimento.
O investimento também será usado para expandir uma fábrica existente da Samsung em Austin, apoiando a produção de tecnologias de processo de silício sobre isolante totalmente esgotado (FD-SOI), um processo que permite um controle de transistor mais eficiente em comparação com as tecnologias convencionais a granel.
